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第48节（第2页）

看起来很简单，其实他最难的是怎么控制掩模板与基片之间只相差几纳米，激光头与掩模板之间只相差几纳米。就是这一个难点就难住了许公司，这需要纳米级加工工艺才能做到。而恰好长胜投资集团就能做到，道理就是这么简单。

掩模板不止一块，而是有许多块。因此他有另外一套安置机构，就像机床的刀具换刀系统一样。为了最大限度地节省空间，它是平行环绕在工作台的周围的，它能环绕转圈，能根据电脑的指令，将下块需要的掩模板输送到微型机械臂的面前。原理和机床的数控换刀系统是差不多的。

为什么要把工作台设置的这么薄呢？就是为了减少上下移动所花费的时间，还有也减少了运动势能，这就相应的增加了上下移动的控制精度。

到了这时，如果仅仅从光刻机的角度看，长胜投资集团的芯片制程工艺已经超过了2017年的世界水平。郭东他们设计的光刻机甚至能达到10纳米以内的制程工艺，当然激光头还需改进成为聚焦式激光头。但是从纯机械的角度看，他们是真的达到了。

不过芯片制程是一个系统的工程，不是简单的机械精度就够了，其实最制约制程工艺的是化学蚀刻环节。在以后的章节中我会祥细讲解。

在以往的工业文中，有作者提到浸润式激光技术，能翻倍提高蚀刻精度。那是因为当时所处的时代，激光精度低所导致的，长胜投资集团所用的极深紫外光是2016年才研发的技术，激光精度一下子提高了几十倍，远远不是什么浸润式激光头技术所能比拟的。

光刻机研制成功了，郭东他们进行了多次实验，发现蚀刻精度非常高，已经完全达到或超过了要求。洪涛甚至直言自家的技术已经远远超过了美国，他能这么说，是有道理的。

他是留美电子工程博士，他在美国见过光刻机实物。也知道他们的芯片制程工艺级别。虽然已经过了好多年，但他根据摩尔定律推测，自家的技术也远远超过了美国几个量级。

郭东他们第一时间将这个好消息报告给了沈丹青，沈丹青马上就来到了长胜精工。他在现场认真听取了郭东他们的讲解，不住的满意的点头，就像小鸡啄米一样的勤快，完全没有意识到这样会不会伤脖子。

他太高兴了，光刻机直到2017年都是中国的一块短板，如今他们公司已经研制出来了，可以说已经为中国补上了短板，他能不高兴吗？这可不是钱所能做到的。他想象未来中国每年几千亿美元的芯片进口额度没有了，那中国又是怎样的一个情况呢？画面太美，以致于他不敢再想象了。

他收拢心思、稳定了情绪就又问郭东道：“离子注入机研制得怎么样了？”

“对不起！老板，我不知道？”郭东被问得哑口无言，他的心思全用在研制光刻机上了，哪里知道另外一组的情况。

幸好这时卢汝成赶忙来补救，他急忙向老板说道：“老板，我们分组了，我们一门心思都在研制光刻机上了，一有了结果就马上报告给你了。因此还不知道另外一组的情况。请您恕罪。”

听到卢汝成的解说，沈丹青的脸色立刻多云转晴了，于是他微笑地对他们说：“是这样就怪不得你们了，两耳不闻窗外事，这是所有科研人员的通病嘛！哈哈哈哈！好啦！你们这边解决了，我们去看看另外一组的情况吧！”

可是他的好心情没有持续多久，到了另外一组一了解，他们居然还在理论研究阶段，令他几乎是咆哮似的发怒了：“你们是怎么搞的？另外一组的光刻机已经研制成功了，甚至还附带研发了液晶屏蚀刻技术，你们居然还没有开始实验！办事太拖沓了。看来你们是没有一个好头，都各自为政，只顾得扯皮了。这样吧！由于离子注入机的实际情况，物理研究所所占的比重最大，我现在就明确规定，物理研究所的王所长为这次研制任务的负责人。还是采取事业部制度，王所长为事业部部长，在整个集团内，他有权调动任何人和材料。任何人不得反对和阻扰，否则我会重处。”

然后他又用严厉的语气对王卫红说：“王所长，我已给你最大的权利了，我只要你赶快给我结果，你能做到吗？”

王卫红以及在场的除了光刻机研制组的人早就给老板的怒气给吓住了，老板又如此严厉的问他，他只能哆哆嗦嗦地回答道：“能……我能……老板，我一定能。”

最后一句，它既是给老板的回答又是给自己壮胆。老板的气场太强大了，他一个没有什么资历的新任所长，有点扛不住啊！

……

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第110章：立场

离子注入机原理：

离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成，可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位，作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子，决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子，当外来电子的能量高于原子的电离电位时，通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外，还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子，再经过加速器获得较高能量，由四级透镜聚焦后进入靶室，进行离子注入。

高能离子注入的优势：

多样性：原则上任何元素都可以作为注入离子；形成的结构可不受热力学参数（扩散、溶解度等）限制；

不改变：不改变工件的原有尺寸和粗糙度等；适合于各类精密零件生产的最后一道工序；

牢固性：注入离子直接和材料表面原子或分子结合，形成改性层，改性层和基底材料没有清晰的界面，结合牢靠，不存在脱落的现象；

不受限：注入过程在材料温度低于零下、高到几百上千度都可以进行；可对那些普通方法不能处理的材料进行表面强化，如塑料、回火温度低的钢材等；

应用：

离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺，可以满足浅结、低温和精确控制等要求，已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。

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